总投资102亿元 光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目一期开工

新开工项目位于东湖综保区高端光电器件产业基地，规划总建筑面积16.63万平方米，建设工期14个月。

自“中国光谷”获悉，11月1日，总投资102亿元的光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目一期正式开工。

新开工项目位于东湖综保区高端光电器件产业基地，规划总建筑面积16.63万平方米，建设工期14个月，将围绕下一代可插拔光模块、CPO/NPO光引擎、全光交换等前沿方向开展攻关，打通“开发—验证—量产”全链条，达产后年产高速光模块超1000万只，全面提升高端光电子及硅光芯片器件的研发与规模制造能力。