Spire获美国政府300万设计III-V太阳能电池

    Spire Semiconductor赢得美国政府的资金，重新设计化合物半导体电池，努力削减成本并提高效率。MicroLinkDevices表示它利用MOCVD技术和一些独特的工艺步骤――包括将外延片下的衬底剥离――将太阳能电池中的GaAs用量最小化。在9月29日美国DoE宣布该工厂获得297万美元的资助用于Solar AmericaInitiative下面的光电模块孵化项目。该项目为期18个月，Spire在GaAs衬底上使用“双面”电池，优化器件结构层的光学特性使它与太阳能光谱匹配，最终能将太阳能转换效率提升到42%以上。

    这个项目打算建立电池生产线，使得年发电量高达50MW，DOE股及到2012年输出量能达到250MW。

    另：Spectrolab日前向Veeco订购多套MOCVD设备，生产砷化物和磷化物半导体系统。