2-12英寸抛光单晶硅片IC半导体测试片实验片

生长方式：  直拉 CZ

    型号： N型/磷、砷、锑    P型/硼  （掺杂元素）

    晶向：  111/100

    电阻： 0.0015-60 Ω·cm（电阻范围可选、也可按照客户需要订制）

    厚度：  200-5000μm（厚度范围可选、也可按照客户需要订制）

 平整度TIR：<3μm

 弯曲度Bow:  <15μm

 翘曲度TTV:  <15μm

粗糙度nm :  <0.5nm

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主要用途有：
1、用于同步辐射实验样品载体；
2、用于磁控溅射生长样品；
3、用于X射线分析晶体等。