应用材料公司推出存储器件先进图形生成解决方案

· 独特的Saphira™ APF™ CVD硬掩膜工艺助力先进存储器件的制造

· 韩国PSK公司的OMNIS™去胶机可完全清除Saphira APF硬掩膜，同时保留高深宽比结构

· 两者相结合，成功创造出一款高效、易集成的综合解决方案

2014年11月10日，加利福尼亚州圣克拉拉——全球领先的半导体、平板显示和太阳能光伏行业精密材料工程解决方案供应商应用材料公司，今天宣布与三星电子有限公司及韩国领先的光刻去胶设备制造商PSK公司合作，开发出一款面向下一代NAND和DRAM存储器件的先进图形生成解决方案。这款全新解决方案包括两大部分——以应用材料公司的Producer® XP Precision™ CVD*系统沉积出的Saphira™ APF *硬掩膜，以及利用PSK公司的 OMNIS™去胶机清除Saphira硬掩膜的工艺。该解决方案目前已开始销售，其合二为一的创新理念无疑成为精密材料工程在复杂图形生成应用领域的重大突破。

应用材料公司介质系统及组件业务副总裁兼总经理Mukund Srinivasan表示：“通过此次合作，我们成功展现并提升了Saphira薄膜的沉积效果和清除工艺。由于传统薄膜的可延续性无法有效支持高深宽比结构的图形，阻碍了NAND和DRAM的进一步升级，因而需要像Saphira APF这样更高级的硬掩膜材料。通过与业内专家合作开发这一全新硬掩膜解决方案，应用材料公司进一步巩固了在市场中的领先地位，继续引领先进存储器件制造工艺的发展。”

PSK公司高级副总裁兼首席营销官J.J Lee 表示：“我们很高兴能与应用材料公司合作开发这项高效的先进技术，共同应对来自未来存储器件图形生成方面的挑战。随着存储器件设计的图形日趋复杂化，只有通过与上下游的紧密合作，才能开发出创新解决方案，满足客户不断变化的需求。正因为如此，此次应用材料公司与PSK强强联手，借助双方先进的设备和技术，开发出这款高效、集成、全面的解决方案。”

Saphira APF沉积系统和PSK公司的 OMNIS去胶机成功解决了复杂图形生成所面临的主要问题，从而推动先进器件结构向更高的技术节点迈进。针对日益突出的高深宽比和高密度图形生成的需求，Saphira APF工艺引入全新的薄膜特性，选择比和透明度都比传统材料更高。此外，PSK的高效OMNIS去胶机能够完全去除Saphira硬掩膜层，同时保持图形形状和底层材料毫发无损。这两大先进工艺相结合，创造出这款全新的硬掩膜解决方案，能够满足下一代存储器件的图形生成需求。

应用材料公司已将其Saphira APF硬掩模去除工艺专利独家授权给PSK公司。

APF= 先进图形生成薄膜 CVD = 化学气相沉积

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