美国Silicon Genesis凭“PolyMax”技术涉足太阳能电池底板市场

　　开发SOI（Silicon On Insulator）晶圆技术的美国Silicon Genesis公司2008年7月11日宣布，成功研制出使用“PolyMax”晶圆工艺技术的太阳能电池底板。该公司将使用该技术，涉足太阳能电池晶圆市场。

利用PolyMax技术制造的厚50μm的125mm晶圆

　　利用PolyMax技术的晶圆制造设备，除消除切割损失，大幅减少将硅锭切割成晶圆的工序中多结晶硅的使用量之外，还能够在晶圆制造过程中省去部分费用较大的耗材。另外，该公司表示，用该设备以单结晶硅制造高效太阳能电池单元，还有望缓解原材料――多结晶硅的短缺状况。

　　该公司此次制造了厚50μm的125mm晶圆样品。还计划在2009年春季之前，利用PolyMax晶圆工艺技术，启动将硅锭切割成厚50～150μm的晶圆的试验生产线。

　　该公司预定在2008年9月1～5日于西班牙举办的“23rd European Photovoltaic Conference”上，公开PolyMax晶圆工艺技术及其设备的详细情况。