新日铁完成6吋SiC晶圆研发挑战全球40%市占

新日铁(Nippon Steel)6日发布新闻稿宣布，已完成尺寸达6吋的碳化矽(SiC)单晶晶圆的研发，此为日本国内首见的创举。新日铁表示，6吋SiC晶圆为次世代高性能电源控制晶片能否量产/普及的关键材料，和现行使用于二极体、电晶体等半导体元件的矽晶圆相比，SiC晶圆可将电力变换过程中的电力损失量减半，且其耐电压性和耐热性也优于矽晶圆。

新日铁表示，随着6吋SiC晶圆的研发成功，不但可降低SiC元件的制造成本，而且可将SiC元件的应用领域扩增至太阳能发电或车用(电动车EV/油电混合车HEV)等市场。

据日经新闻指出，新日铁计画于2013年度开始量产上述6吋SiC晶圆产品，目标为抢下全球40% SiC晶圆市占；目前新日铁SiC晶圆全球市占率为5-6%，逊于美国Cree的60-70%位居第2位。日经指出，目前全球SiC晶圆需求量虽不足5万片，惟预估2020年时将大幅倍增至40万片的规模，其中可应用于车用市场的6吋产品年均增幅预估可达90%。

新日铁于日前宣布，计画于2012年3月底前阶段性将4吋以下(含4吋)的SiC晶圆月产能扩增至1,000片的规模，约达现行产能的3倍；新日铁自2009年开始就进行SiC晶圆的生产与贩售。新日铁并同时宣布，已与美国Cree就双方于全球所持有的SiC单晶晶圆相关专利签署了相互授权契约