v10.0
现货供应8寸156多晶硅片
156*156多晶硅片规格标准：
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生长方法
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Growth Method
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DSS
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导电型号
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Conductive Type
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P
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掺杂剂
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Dopant
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B
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电阻率
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Resistivity（ρ）
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1.0 -3.0Ω·cm
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少子寿命
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Minority Carrier Lifetime
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≥2μs(brick 硅块)
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氧含量
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Oxygen Content(oi)
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≤1.0*1018 at/cm3
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碳含量
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Carbon Content(c)
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≤1.0*1017 at/cm3
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硅片尺寸
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Size
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156*156±0.5mm
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倒角线角度
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Bebel Edge Angle
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45°± 10°
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倒角线宽度
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Bebel Edge Width
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0.5-2mm
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硅片厚度
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Thickness
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200±20 μm
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总厚度变化
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TTV
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≤30μm
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线痕
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Saw Mark
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≤15μm
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弯曲度/翘曲度
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Bow/Warp
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≤75μm
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崩边
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chip
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深度<0.3mm；长度<0.5mm。
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微裂纹
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Crack
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不允许
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外观
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Appearance
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目视检查无污点,缺口,孔洞和裂纹
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晶粒尺寸
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Crystal Grain
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≥1cm2
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公司网站 http://www.
1. 类型：P型；2. 尺寸：156×156±0.5mm；3. 厚度：200±20 us；4. 电阻：0.8~3Ω·cm
5. 少子寿命：≥ 2us；6. 损伤层：无；7. TTV：≤50um；8. 垂直度：90°±0.3°
9. 翘角度：≤ 40um；10. 氧含量：＜4×10 17cm－3 11. 碳含量：＜2×1018 cm－3
12. 表面完整光洁，无油污等水痕现象，无裂纹，针孔及明显的切割线。
