SEMI中国HB-LED标准技术委员会秋季会议确立两项新标准提案

SEMI中国HB-LED标准技术委员会秋季会议9月19日在哈尔滨召开，这是自今年3月成立SEMI中国HB-LED标准技术委员会后，中国LED产业核心企业代表再次聚会，来自中国大陆、台湾以及欧洲的近70名代表共同审阅了《用于HB-LED晶圆制造的蓝宝石单晶规范》的进展，并对中国LED领先企业所提出的新标准提案进行严格审核后批准予以立项。
 

 

 
 

哈尔滨高新区管委会副主任姜元平表达了当地政府对建设“中国北方智都”的决心和信心！SEMI中国HB-LED标准技术委员联席主席、贵州皓天科技有限公司季泳总经理对主办方SEMI中国、承办方哈尔滨奥瑞德，以及钻石赞助商EDWARDS 表示感谢。哈尔滨奥瑞德董事长左洪波博士表示，蓝宝石业务在LED行业得到大幅提升，生产规格也由2英寸逐渐向4英寸/6英寸升级；蓝宝石在消费电子领域，尤其在摄像及指纹识别的应用，会成为今后中高级手机的标配但竞争也会愈加激烈，感谢SEMI从标准的层面上来推动中国LED产业的健康可持续发展。

 

 

贵州皓天代表向大会报告了“Single Crystal Sapphire Task Force”的工作进展，代表们一致通过了上次会议纪要。SEMI负责标准事务的沈红经理向代表们介绍了SEMI在标准制定方面的进展，特别重点介绍了新近发布的HB-LED标准（ＨＢ１－０８１４、ＨＢ２－０６１３、ＨＢ３－１１１３、ＨＢ４－０９１４）以及批准的５项规范文件。哈尔滨奥瑞德代表就新标准提案“SNARF – Specification for Single Crystal Sapphire Ingot for LED Application”和新工作组方案——“LED Sapphire Ingot Task Force”向与会代表做了说明。代表们就其技术指标的检测方法、计划时间表，以及英文用词等进行了热烈讨论后，一致通过了哈尔滨奥瑞德的SNARF 和TFOF 申请。

随后，清华同方南通半导体的代表向大会就新标准 – Test Method for Surface Quality of GaN based LED Epitaxial Wafer Using for Manufacturing HB-LED做了说明。代表们认为，ＧａＮ磊晶的品质至关重要业界应予重视，对质量及其物理性要有所规范。在清华同方南通代表就新工作组方案——“GaN Based LED Epitaxial Wafer Task Force” 做出说明后，其SNARF 和 TFOF 申请均获得代表一致通过。

ＳＥＭＩ首席分析师Daniel Qi与代表们分享了“LED制造及其思考”报告，就ＬＥＤ制造的发展与现状、产业的未来热点、外延芯片制造业整合的加剧、MOCVD设备市场、产业竞争与垄断等相关话题得到了代表们的热烈呼应。会议期间，哈尔滨奥瑞德还特别安排与会代表参观了其蓝宝石生产线。另外，标委会核心委员还就下次会议时间、地点投票决定：南京京晶光电将成为下次会议的承办方，２０１５年４月１０日南京：SEMI中国HB-LED标准技术委员会再相聚！大家相约：2015年3月上海ＳＥＭＩＣＯＮ中国再见！