台湾光伏展: 杜邦提高轻掺杂发射极性能

   2013-11-01 pv-tech17490
导读

杜邦微电路材料(DuPont Microcircuit Materials)日前提高其用于单晶硅片的Solamet PV18x系列正面银金属材料的性能,该硅片采用增强

杜邦微电路材料(DuPont Microcircuit Materials)日前提高其用于单晶硅片的“Solamet” PV18x系列正面银金属材料的性能,该硅片采用增强型轻掺杂发射极(LDEs),在PV Taiwan 2013上展出。

杜邦表示,其对PV18x系列材料进行大规模的研发投资,超出对Solamet PV17x系列提供的投资,使得太阳能电池制造商提高生产力及转换效率,同时提供一个具有成本竞争力的产品。

由于Solamet PV18A利用更精细的栅线及较之前更低的沉积,展现出效率的提高,提供优化的轻掺杂发射极性能对于光伏电池生产商而言,将是“一个主要的差异”。

杜邦指出,其还在内部开发扩散配方,旨在使电池效率超过19.3%,已经在采用最新的PV18A银浆的单晶硅片上得以证实。

杜邦微电路材料全球光伏营销经理彼得·布伦纳(Peter Brenner)表示:“Solamet PV17x系列是首款利用接触轻掺杂发射极能够开启效率提升的商业化浆料。目前Solamet PV18x通过更好接触轻掺杂发射极以及更少材料需求,交付更高效率,更进一步扩大生产。”

台湾拥有众多专注于多晶和单晶太阳能电池的制造商,也是继中国大陆之后太阳能电池年产量第二大地区。
 
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