项目 标准
生长方式 CZ
导电类型 P
掺杂剂 硼
晶向 〈100〉±1.0°
边长 125±0.5mm
直径 150±0.5mm
厚度 200±20μm
形状 准方形
电阻率 1-3Ω.cm
少子寿命 ≥10μs
氧含量 ≤1×1018atoms/cm3
碳含量 ≤5×1016atoms/cm3
翘曲度 ≤50μm
总厚度差异 ≤35μm
位错密度 位错密度
线痕 深度≤10μm
崩边 宽度≤0.4mm，延伸≤0.8mm，每片总数量≤2个，间隔≥30mm
表面质量 表面清洁；无裂纹，明显刀痕，凹坑，缺口，孔洞
125 X 125 单晶硅片
