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北京合能阳光新能源技术有限公司

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SIC涂层MOCVD外延片石墨托盘
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产品: 浏览次数:1113SIC涂层MOCVD外延片石墨托盘 
品牌: 合能阳光
厚度: 120um
粗糙度: 6um
电阻率: 0.00045
单价: 60000.00元/件
最小起订量: 10 件
供货总量: 10000 件
发货期限: 自买家付款之日起 30 天内发货
有效期至: 2021-09-18
最后更新: 2020-09-18 17:32
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详细信息
 

SIC涂层MOCVD外延片石墨托盘

我公司拥有多名日本专家、博士工程师及先进经营管理团队,拥有专业从事碳化硅涂层以及对石墨产品进行高温纯化除杂技术。公司产品及技术广泛应用于半导体行业,LED行业,航天行业,化工行业,光伏行业,包装行业,耐腐蚀行业、冶金行业等领域。

 

   公司通过引进国外最先进的CVD法碳化硅涂层及高温纯化装置与技术,根据客户需要为不同形状,不同结构和大小的石墨件纯化除杂,纯化后的石墨杂质可降至小于5PPM,并采用高温化学气相沉积法沉积指定厚度的碳化硅涂层。

 

   相比以往的工艺,CVD法生产的碳化硅晶体结构致密,晶格排列整齐,与沉底材料结合更紧密等优势。具有耐高温,耐磨损,耐腐蚀,易导热的特点,凭借这些涂层,我们的产品被广泛应用于制作流化床和热氢化的反应器部件,CZ直拉单晶炉的导流筒部件,以及硅外延和GaN外延的托盘。

 

产品指标:

ü 材料:进口等静压高纯石墨

ü 纯度:小于5ppm

ü SIC涂层厚度:120µm±30µm(涂层厚度可根据客户要求定制)

ü 涂层表面粗糙度:6-8µm

ü 涂层后基座电阻率:0.0004-0.00045Microhm-m

ü 高均匀度和优异的热传导性

ü 耐电浆轰击

ü 极佳均温性

ü 高耐腐蚀性和稳定性

ü 理想的电阻特性

ü 使用寿命长

 

应用领域:

ü LED芯片产业MOCVD外延片承载石墨托盘

ü ICP蚀刻制程用之承载盘

ü 硅外延及GaN外延等各Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体半导体材料外延托盘

 

合能阳光

ü 提供各种规格碳化硅涂层石墨制品:承载盘,预热环,筛盘,顶针等相关制品

ü 可接受根据图纸定制加工业务

ü 质量稳定,交货期短

主要客户:

国内半导体芯片企业、LED光电企业等

 

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