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首页 > 供应产品 > SiC晶种籽晶碳化硅长晶晶片衬底半导体专用
SiC晶种籽晶碳化硅长晶晶片衬底半导体专用
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产品: 浏览次数:892SiC晶种籽晶碳化硅长晶晶片衬底半导体专用 
品牌: 合能阳光
型号: 4H-N/Si 6H-N/Si
微管密度: ≤ 5 cm -2
晶向: <1120>或者<0001>
单价: 15000.00元/片
最小起订量: 5 片
供货总量: 10000 片
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至: 2021-09-18
最后更新: 2020-09-18 17:32
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详细信息
 

SiC晶种籽晶碳化硅长晶晶片衬底半导体专用

SIC籽晶

产品介绍:

       SiC的物理和电学属性使其成为短波长光电、高温、耐辐射、高功率/高频率电子器件的首选半导体材料。然而生长优质的SiC单晶非常困难,其中第一要素就取决于SiC晶种的品质。晶种的类型、表面性质和吸附变化极大地影响着SiC晶体的生长类型、缺陷结构以及电学性质等等。

       合能阳光提供的SiC晶种,可充分满足不同需求的客户,优质的晶种品质为客户SiC长晶的成品率与晶片质量提供了可靠的保障。

标准技术参数:

型号:4H-N/Si 6H-N/Si

等级:工业级   研究级

 直径:2寸 4寸 6寸

 厚度:330 μm±25μm  500μm±25μm  

 晶片方向:Off axis : 4.0° toward<1120> ±0.5° for 4H-N  On axis : <0001>±0.5° for 4H-Si

微管密度: ≤ 5 cm -2

电阻率范围:0.0015-0.1Ω·cm

主定位边方向:{10-10}±5.0°

次定位边方向:Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0°

边缘去除:2mm

局部厚度变化/弯曲度/翘曲度:≤ 4μm/ ≤ 10μm / ≤ 25μm / ≤ 35μm

表面粗糙度 :抛光Ra ≤ 1 nm 清洗 Ra ≤ 0.5 nm

裂纹(强光观测):无       

六方空洞(强光灯观测):面积 ≤ 0.05%

多型(强光灯观测)

目测包裹物(日光灯观测):面积 ≤ 0.05%

划痕(强光灯观测)

崩边:无

表面污染物(强光灯观测):

包装:真空盒装                  

 

典型客户:

美国,欧洲,亚洲及国内SiC晶体生产和衬底企业。

 

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